11、宽渐变势阱中电子特性及光学跃迁研究

宽渐变势阱中电子特性及光学跃迁研究

1. 自旋密度波相关特性

在宽渐变势阱中，当考虑交换关联效应时，在特定波矢 (Q = k_{Fq} + k_{FJ}) 处的最大值可能会变为发散，这表明具有该波矢的自旋密度波不稳定状态是可能存在的。对于宽度为 400nm 的势阱，当电子填充率超过 40% 时，产生响应发散所需的交换相互作用值与势阱宽度无关。这意味着，如果该势阱中的电子层宽度超过 160nm，在足够低的温度下可能会维持自旋密度波。

然而，到目前为止，对于宽抛物势阱或均匀掺杂半导体，尚未观察到与面内磁场平行和垂直方向上的电阻各向异性（这是理论所预测的），因此目前还没有明确的实验证据证明自旋密度波有序。在不同宽度的势阱（如 464nm、568nm 的宽势阱以及 75nm 的窄势阱）中，观察到了施加电流方向 (I\parallel B) 和 (I\perp B) 的电阻各向异性。低场（(B\approx1T)）各向异性特征出现在子带排空应该发生的场强处，而高场（高达 12T）各向异性可以用量子极限下具有 (\delta) 函数散射体的简单输运理论来解释。同时，也没有观察到在高磁场和低温下电阻的强各向同性增加，这种增加本应暗示电子晶体的存在。

预测自旋密度波有序的临界温度 (T_c) 很困难，因为 (T_c) 对相互作用参数呈指数依赖，而这些参数目前还不太清楚。可能破坏有序状态的因素包括杂质和 phonon的散射。在解释数据时，必须将由于电子 - 电子相互作用导致的有序与在低温和强面内磁场下电子在空间不均匀性中的局域化区分开来。为了区分杂质势中的局域化和集体有序状态的形成，还需要进行额外的实验研究，例如研究输运对施加电场的依赖性。

2. 远红外吸收