MOS管的工作原理和重要参数

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#MOS管

于 2025-06-02 14:47:19 首次发布

工作原理

以N沟道增强型MOS为例：

工艺上，与BJT有所不同的是：

1.G极与下方的半导体材料是绝缘的

2.左右两个pn结的掺杂工艺完全一致，与衬底B极相连的就是S极

类比于BJT，来研究 $u_{GS}$ 、 $u_{DS}$ 和 $I_{DS}$ 三者的关系，（G极由于绝缘，理论上没有电流流过）

首先让 $u_{DS}$ =0， $u_{GS}$ 逐渐增大；

开始给 $u_{GS}$ 加正电压时，由于电场力的作用，P区中靠近的G极的空穴会被排开，两个PN结之间的载流子空穴掺杂浓度降低，会导致势垒区变宽来补偿内建电场，S,D之间的导电性会变差。

随着 $u_{GS}$ 电压升到了一个临界值（ $u_{GSth}$ ），此时空穴基本被排空，继续增加电压，自由电子聚集在G极下方，显然此时G区下方可以当作一个N型半导体，S极和D极导通。

自由电子的浓度决定了器件的导电性，自由电子的浓度不变，导电性就不变，即一个恒定的电阻。 $u_{GS}$ 不同，自由电子的浓度就不同，恒定电阻的也阻值就不同。

对于特定的 $u_{GS}$ （> $u_{GSth}$ ），给S极和D极加上一个电压，会得到 $u_{DS}$ 和 $I_{DS}$ 的线性关系，这对于一定范围的 $u_{DS}$ 是成立的。

接着，施加一个 $u_{GS}$ 定值，研究 $u_{DS}$ 和 $I_{DS}$ 的关系；

之前s，d两端电位相等，所以在左右两端，沟道上下的电势差是相等的，为 $u_{GS}$ ，沟道上下的电势差直接决定了沟道的宽度，所以沟道必然是等宽的。随着 $u_{DS}$ 的加入，沟道左边的压差仍然是 $u_{GS}$ ，但沟道右边的压差为 $u_{GS}$ - $u_{DS}$ ，就会出现沟道不等宽的情况。

基于宽度调制效应，右侧宽度比左侧窄，但自由电子浓度比左侧高，所以此时的电阻仍是恒定的。

随着 $u_{DS}$ 的不断增大到 $u_{GS}$ - $u_{DS}$ = $u_{GSth}$ 这样一个临界值，右侧的导电沟道只允许单个电子通行，这个状态称为预夹断，随着 $u_{DS}$ 的继续增大，预夹断状态的沟道会变长。

这个沟道不会真的夹断，因为沟道一旦夹断，没有电流通过，S,D之间就不存在压降，或者说和整个衬底保持相同的电势，在 $u_{GS}$ 的作用下，沟道又会重新打开，所以整个过程中，沟道在以一种动态平衡的方式保持着预夹断的状态。

预夹断使得 $u_{DS}$ 在一定范围内变化时，出现一个恒流区， $u_{DS}$ 变化，预夹断沟道的宽度就会发生变化，整体的电阻就就会发生变化（因为它只允许单个电子通行），简单来说， $u_{DS}$ 的升高被 $R_{DS}$ 的增大抵消掉了，所以在恒流区内， $I_{DS}$ 与 $u_{GS}$ 成比例，而与 $u_{DS}$ 无关。

转移特性和输出特性曲线：

$i_{D}=I_{DO}*(\frac{U_{GS}}{U_{GSth}}-1)^{2}$

主要参数

静态特性参数

1. $u_{GSth}$ 和 $u_{GSoff}$

增强型MOS管有一个开启电压 $u_{GSth}$ ，原因是衬底里自由电子被吸附上来的过程中与沟道中的空穴复合，导致载流子减少，导电性能变差。耗尽型MOS则有一个截止电压 $u_{GSoff}$ ，耗尽型MOS在栅极内填充了正电荷，需要一个反压将这部分电压抵消至沟道关闭。总的来说，阈值电压 $u_{GSth}$ 和 $u_{GSoff}$ 是沟道形成的一个临界点。

2. $V_{GSS}$

当 $V_{GS}$ 大于阈值电压时，MOS管导通，由于实际的工艺中，栅极的绝缘层做得非常薄，G和S之间电压过高会把栅氧化层击穿，从而毁坏器件，所以MOS管会设定一个最大额定工作电压 $V_{GSS}$ ，实际上这个值是远低于栅氧化层能承受的电压，因此保持在 $V_{GSS}$ 以内工作足以保证应用的可靠性。

3. $I_{GSS}$

理想情况下，由于G极被绝缘层隔离，G,S之间是没有电流的，但在现实中由于MOS管栅极绝缘层存在微观缺陷或杂质，导致在电场作用下会产生隧穿电流，有可能带来一个显著的功耗。 $I_{GSS}$ 定义为特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流，它作为MOS管的核心参数，直接关联器件能效与可靠性。

4. $V_{DSS}$ 和 $V_{(BR)DSS}$

对于N沟道MOS管，施加正的 $u_{DS}$ ，会导致D极附近的pn结反向偏置，当电场过强，很可能发生雪崩击穿，这就需要设置一个额定工作电压 $V_{DSS}$ 保证器件工作在安全范围内，它定义为漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压； $V_{(BR)DSS}$ 则定义为在特定温度（通常25℃）和栅源短接条件下，漏极电流达到某一临界值时，漏-源极间实际发生雪崩击穿的电压。

$V_{DSS}$ 作为选型依据，用于电路设计中的电压余量预留。例如最大工作电压为400V时，需选择 $V_{DSS}$ ≥600V的MOS管，以应对瞬态尖峰。 $V_{(BR)DSS}$ 反映器件的实际耐压能力，用于评估雪崩击穿风险，实测值决定了器件能否安全吸收雪崩能量（EAS）。

5. $I_{D}$ 、 $I_{DM}$ 和 $I_{DSS}$

从输出特性曲线可以看出，在恒流区，流过漏极的电流与 $u_{DS}$ 无关，与 $u_{GS}$ 成正比。但漏极电流不能无限地增大，一方面由于 $V_{GSS}$ 限制了G,S之间的电压，另一方面，MOS管器件会有一个电流承载能力，如果电流过大，会产生 $P=I^{2}*R_{dson}$ 这样的一个发热功率，若散热不足，结温超过TJ(max)（通常150℃），可能引发MOS管的永久性损坏。所以定义 $I_{D}$ 为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流，标定器件在稳态工作时的电流承载能力，是衡量MOS管功率处理能力的关键参数。

MOS管很可能在开关瞬间形成很大的脉冲尖峰电流，当这个尖峰电压过高时有可能损坏器件，所以有必要对器件对瞬态过载电流的耐受能力做一个标定，定义为 $I_{DM}$ （Pulse Drain Current），确保MOSFET在开关瞬间（如电机启动、电源浪涌）或短路保护场景下不会因瞬时大电流而损坏。

定义 $I_{DSS}$ 为在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。理想情况下，MOS管处于截止状态时，漏极没有电流流过。但实际上，即使pn结处于反向偏置的状态下，少子会在内建电场的作用下产生少量的偏移电流，这个电流受温度的影响很大，温度每升高10℃，泄漏电流可能增加 2~5倍。

6. $R_{dson}$

上文提到漏极电流会产生 $P=I^{2}*R_{dson}$ 这样的一个发热功率， $R_{dson}$ 定义为MOSFET在完全导通状态下（VGS>Vth且工作在线性区）漏极与源极之间的等效电阻，直接决定了导通损耗和系统效率，其数值通常在毫欧级到几欧姆之间。

7. $EAS$ 、 $EAR$ 、 $IAR$

这三个参数为器件能承受多少雪崩击穿能量的能力做了一个标定。

$EAS$ ，单脉冲雪崩击穿能量表示MOSFET在单次雪崩击穿事件中可安全吸收的最大能量，通过非钳位感性开关（UIS）测试。

$EAR$ ，重复雪崩能量表示器件在多次雪崩击穿中的累积耐受能力。

$IAR$ ，雪崩击穿电流是雪崩过程中流经MOSFET的峰值电流，与电感储能和关断速度直接相关。

动态特性参数

MOS管的动态特性是一些和频率有关的参数，形成的原因是MOS管内部存在pn结的寄生电容以及氧化层电容。

电容的定义

当某个器件两端电压的变化会引起它储存电荷的变化，这个器件就表现出电容特性，平行板电容器就由上下两个金属板和中间的介质层组成。

pn结引起的寄生电容

势垒电容——

pn结的耗尽层相当于一个绝缘介质的结构，多子需要跨越势垒电压才能移动，外加电压变化时，耗尽层的宽度必然变化，其中储存的电荷也发生变化，表现出电容的特性。反偏时，随着反向电压的增大，耗尽层变宽导致电荷量改变，势垒电容减少；正偏时，耗尽层变窄，势垒电容增大。

扩散电容——

正偏时，结两端的载流子（多子）跨过势垒层注入对方区域，形成浓度梯度并累积电荷，正偏电压变化时，电荷的注入和抽取表现为电容效应。（两端非平衡少子浓度的变化引起了储电量的变化）正向电流越大，扩散电容就越大。

上述的结电容，空间电荷层构成了电容模型里中间的介质层，而对于被绝缘层隔离的栅极，不难看出 $u_{GS}$ 的变化会引起自由电子数量（即电荷）在导电沟道的变化。这个过程中，绝缘层充当了中间介质，栅极作为上极板，沟道作为下极板，这符合电容的定义，因此也能等效出电容

综上，可以得到MOS管内部寄生电容的结构图：

高频等效模型：

1. $C_{iss}$

当信号从G极输入， $C_{gd}$ 和 $C_{gs}$ 两个电容有可能与电路存在的电感形成谐振回路，引起信号畸变或振荡。并且如果信号的频率高到某一个值，就会被两个电容旁路掉。

另一方面，这个电容决定了栅极电压的充放电时间。 $C_{iss}$ 越大，栅极电压上升到阈值电压（ $V_{th}$ ）所需时间越长，导致开通延迟（ $T_{on}$ ）和关断延迟（ $T_{off}$ ）增加。

因此定义输入电容 $C_{iss}=C_{gd}+C_{gs}$ 来衡量栅极与源极、漏极之间电容效应，它反映了栅极电压变化时电荷充放电的总容量。

2. $C_{oss}$

同样的，信号从漏极-源极输出时，在高频电路中， $C_{gd}$ 和 $C_{ds}$ 两个电容有可能与电路存在的电感形成谐振回路，导致电压尖峰或振铃现象。

另一方面， $C_{gd}$ 和 $C_{ds}$ 两个电容的充放电会延长关断时间（ $T_{off}$ ），增加开关损耗。当MOS管关断时，电容存储的能量（ $E=\frac{1}{2}*(C_{gd}+C_{ds})*V_{d}^{2}$ ）会通过电阻或电感释放，导致能量损耗。

因此定义输入电容 $C_{iss}=C_{gd}+C_{ds}$ 来衡量漏极与源极、栅极之间电容效应，它是影响高频性能、损耗和稳定性的核心参数。

3. $C_{rss}$

定义反向传输电容 $C_{rss}$ = $C_{gd}$ ，也称为米勒电容，由它引起的米勒效应会显著延长开关时间。在MOS管导通时，栅极驱动电流需先中和 $C_{rss}$ 的电荷（反向充电），导致Vgs在米勒平台期停滞，延缓Vds下降速度，增加开通和关断损耗。

4. $Q_{g}$ 、 $Q_{gs }$ 、 $Q_{gd}$

影响MOS管开通和关断的关键在于驱动栅极时，由于寄生电容的存在，驱动期间必须先给电容充满电，才能达到预定的电压值。而C = Q/V 也就是说，需要给栅极注入一定的电荷量把电容充满电，才能让MOSFET完全导通。

定义 $Q_{g}$ 表示MOSFET完全导通时，栅极所需注入的总电荷量，包含 $Q_{gs }$ 和 $Q_{gd}$ 两部分。

$Q_{gs }$ 指栅极电压从0V上升到米勒平台起始点（即阈值电压VGS(th)以上）所需的电荷量，此时，MOS管开始导通，但漏极电压尚未明显下降。

$Q_{gd}$ 指米勒平台期间对栅漏电容充电所需的电荷量，对应Vds从最大值下降到最小值的过程此阶段栅极电压维持稳定（米勒平台），驱动电流主要用于抵消漏极电压变化对Cgd的影响。

5. Td（on） Tr Tf Td（off）

MOS管导通和关断会有一个时延，并且受寄生电容的影响，相应的时延会更长，MOS管的导通和关断时间参数是评估其开关性能的核心指标，直接影响高频电路效率、损耗及EMI特性。

导通延迟时间td(on)定义为从栅源电压VGS上升到驱动电压的10%开始到漏极电流ID达到规定值的10%所需的时间，对应栅极电容Ciss（输入电容）充电至阈值电压VGS(th)的过程。

上升时间（tr)定义为漏极电流ID从10%上升至90%的时间，对应米勒平台期间驱动电流主要对栅漏电容Cgd（米勒电容）充电，此时漏源电压VDS快速下降。

关断延迟时间td(off)定义为从栅源电压VGS下降到驱动电压的90%开始，到漏极电流ID降至90%所需的时间。对应栅极电容Ciss放电至阈值电压以下，漏极电流开始下降。

下降时间（tf)定义为漏极电流ID从90%下降至10%的时间，漏源电压VDS因寄生电感产生电压尖峰，反向传输电容Crss（即Cgd）放电速度决定tf。

米勒平台

电容充电或放电的动作会延长电路响应的时间，MOSFET中存在一个“米勒电容”，它是影响其开关性能的重要参数，这个电容就是 $C_{gd}$ 。

下图是对米勒效应的一个仿真

第一个阶段：Vg开始上升，由于Vd>Vg，Vs<Vd，所以这个阶段 $C_{gs}$ 在充电，电荷主要往 $C_{gs}$ 聚集，电容两端电压不能突变，所以Vg只能以一定的斜率斜坡上升，并且在Vg没到达阈值电压前，MOS管没有导通。

第二个阶段：Vg到达阈值电压并继续上升，MOS管开始导通，沟道形成，此时的MOS管处于一个可变电阻区，其阻值与 $u_{GS}$ 直接相关。从波形上可以看到，随着Vg的上升，MOS管开始导通，Vd开始下降，Id开始上升。

第三个阶段：Vd下降，米勒电容 $C_{gd}$ 中d极板上的压降也开始下降，直到Vd<Vg，此时，栅极驱动信号提供过来的电荷会被 $C_{gd}$ 夺去，而 $C_{gs}$ 上的电荷则会在这段时间内保持不变，MOS管的阻值不变，压降Vd不变。当 $C_{gd}$ 再次被充电至Vd=Vg，栅极驱动信号再次给 $C_{gs}$ 充电， $u_{GS}$ 再次上升，沟道电阻下降，压降Vd再次下降，栅极驱动信号提供过来的电荷再次会被 $C_{gd}$ 夺去， $C_{gs}$ 上的电荷则会在这段时间内保持不变，MOS管的阻值不变，压降Vd不变......这个过程这样循环下去，直到MOS管完全导通。从这个过程可以看出，米勒平台其实是一个缓慢上升的斜坡，它制约着MOS管的导通/关闭时间。

第四个阶段： $C_{gd}$ 被完全充满电，栅极驱动信号提供过来的电荷将会完全给 $C_{gs}$ 充电，栅极上的电压将会逐渐上升到预设的值，MOS管也逐渐进入到饱和的恒流区，此时 $u_{GS}$ 的升高已经不会对沟道的电阻产生影响，在VDD不变的情况下，可以看到Id上升到一定值时保持恒定，Vd也下降到一个很低的水平保持恒定。

由P=U*I，MOS管的开通损耗就发生在Vd和Id交叠的部分，米勒效应会增加MOS管的导通/关闭损耗。