23、硅基III族氮化物发光器件的研究进展

硅基III族氮化物发光器件的研究进展

1. 引言

在半导体发光器件领域，硅基氮化镓（GaN）发光二极管（LED）因其潜在的优势而备受关注。此前对砷化镓/硅（GaAs/Si）和磷化铟/硅（InP/Si）体系的研究进展有限，主要是由于存在大量本征缺陷。然而，基于氮化镓的发光二极管对穿透位错的存在相对不敏感，这得益于激子局域效应或有源区量子点的存在。因此，像硅这样的异质衬底有望用于制造高性能的氮化镓基发光二极管。

早在1971年，就有关于在硅（111）面上通过金属有机气相外延（MOVPE）生长氮化铝（AlN）薄膜的报道。但在随后的二十年里，对III - V族氮化物在硅上外延的研究较少。到了20世纪90年代，在蓝宝石上生长氮化镓的外延方案取得成功，实现了高亮度发光二极管的商业化。尽管蓝宝石基发光二极管占据主导地位，但1998年首次在硅上通过分子束外延（MBE）生长出了氮化镓基双异质结构（DH）紫光发光二极管，这不仅证明了在硅上制造氮化镓基垂直传输发光体的可能性，也推动了后续的研究。

2. 生长挑战与应对策略

2.1 氮化镓在硅上生长的挑战

通常，具有六边形排列的硅（111）面是氮化镓外延的首选衬底，但在硅（111）上生长氮化镓会面临一些材料特性方面的问题：
- 晶格失配 ：氮化镓与硅之间存在17%的高晶格失配，导致位错密度通常超过10¹² cm⁻²。不过，这一问题并非最为严重，因为在蓝宝石上生长氮化镓也存在类似程度的晶格失配，只是符号相反。一些用于减少蓝宝石上氮化镓位错数量的技术，如使用超晶格和横向外延过生长（ELOG）等，有望应用于硅基氮化镓。
- 界面反应 </