硬件学习笔记--98 双MOS方案高速率电平转换电路介绍

1、电平转换电路介绍

        不同电压域芯片（如 5V 单片机、3.3V STM32、1.8V 传感器）IO 高电平标准不一样，无法直接通信；电平转换电路用来转换高低逻辑电平，同时隔离高压、保护低压芯片引脚，分为单向、双向两大类。本文介绍的两颗NMOS搭建单向电平转换电路适用于信号单向传输的场景，主要应用场景为5V->3.3V的单向电平转换。

2、元器件选型参数介绍

1）NMOS1和NMOS2均为NMOS，NMOS1参数无特殊要求；NMOS2需要满足VGSth<(VDI-VDO);

2）限流电阻为保证VCC的瞬态响应能力不足导致信号波动，推荐选取51Ω，阻值过小导致信号波动，阻值过大导致信号边沿过缓。

3、电路工作过程介绍

        参数假设，设NMOS1的导通电压VGSth1为1V，NMOS2的导通电压VGSth2为0.3V。

阶段 1：0V≤DI<2.3V

初始稳态 DI=0V

1）判断 NMOS2：VDI​=0，VGS2​=0−VDO​<0<0.3V，NMOS2 完全关断，3.3V 上拉回路无电流。

2）判断 NMOS1：此时 DI 与 DO 通过导通沟道短接，VDO​=DI=0V VGS1​=3.3−0=3.3V>1V，NMOS1 饱和导通，漏源近似等电位。

3）输出关系：DO=DI

DI 缓慢上升（0<DI<2.3V）

1）NMOS1：VDO​=DI<2.3V，VGS1​=3.3−DI>1V，维持饱和导通；

2）NMOS2：VGS2​=DI−DO=0<0.3V，始终关断；

3）输出特性：DO 严格跟随 DI 同步抬升。 举例：DI=1V → DO=1V；DI=2.2V → DO=2.2V。

区间临界点 DI=2.3V

VDO​=2.3V，VGS1​=3.3−2.3=1V，刚好等于 NMOS1 开启阈值，NMOS1 即将退出导通。

阶段 2：2.3V≤DI<3.3V（过渡区间）

1）NMOS1 状态 若 DO 继续等于 DI，则VDO​≥2.3V，VGS1​≤1V，NMOS1 沟道收缩，进入高阻区，DI 与 DO 之间隔离阻抗急剧变大，不再等电位。

2）NMOS2 状态 VDI​≥2.3V，此时 DO 初始电位≈2.3V， 当VGS2​=VDI​−VDO​>0.3V，满足 0.3V 低阈值，NMOS2 导通；

3）电压变化趋势 3.3V 电源通过 NMOS2、R1 向 DO 节点灌入电流，强行抬高 DO 电位； NMOS1 隔离阻抗不断增大，DI 拉高 DO 的能力持续减弱； DO 上升速度不再和 DI 同步，被 3.3V 电源钳位，DO 增速远慢于 DI。

示例：DI=3V，DO 不会等于 3V，只会被上拉至 2.5~3.2V 之间，且永远不会超过 3.3V。

阶段 3：3.3V≤DI≤5V（高压隔离电平转换区）

1）NMOS1 彻底关断，高低压隔离 NMOS2 持续导通，DO 被上拉至接近 3.3V； VGS1​=3.3−VDO​≈0V<1V，NMOS1 导电沟道完全消失； DI 最高 5V 与 DO 最高 3.3V 彻底断开，5V 高压不会倒灌进 3.3V 芯片 IO，实现硬件保护。

2）NMOS2 饱和导通，DO 稳定 3.3V VDI​从 3.3V 升到 5V，VGS2​=VDI​−VDO​差值持续变大，NMOS2 导通电阻极小； 电流通路：3.3V → NMOS2 → 51Ω R1 → DO； 稳态输出：DO≈3.3V，DI 继续升高，DO 不再变化。

阶段4：终点稳态 DI=5V

1）NMOS1：完全关断，5V 与 3.3V 域隔离；

2）NMOS2：深度饱和导通；

3）输出 DO≈3.3V，完成 5V 高电平转 3.3V 高电平。

4、元器件选型及注意事项介绍

1）NMOS1和NMOS2均为NMOS，NMOS1参数无特殊要求；NMOS2需要满足VGSth<(VDI-VDO);

2）限流电阻为保证VCC的瞬态响应能力不足导致信号波动，推荐选取51Ω，阻值过小导致信号波动，阻值过大导致信号边沿过缓。

3）元器件选型注意测试IDS,IGS,正常需要在μA以下，若漏电流较大，会导致低电平下拉不到位，漏电流影响前级信号等现象。

4）该电路适用于5MHz以下，速率再高寄生参数影响会更大，导致无法识别。