fpga系列 HDL 00 : 闪存FPGA结构与特性 + Microchip低功耗FPGA产品&Microchip FPGA系列产品+编程器对比

参照资料

FPGA互连技术

SRAM互连

  • SRAM依靠双稳态电路(如反向锁存器)来存储每一个比特。速度快,不需要像DRAM那样周期性地刷新其数据,但是数据掉电丢失。

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  • 工作原理
    SRAM的存储单元通常由多个晶体管构成,常见的是六个晶体管(6T SRAM单元)。这些晶体管组成一个双稳态锁存器,能够稳定地保存数据。每个存储单元可以存储一个比特数据(0或1),但是一旦电源关闭,存储的数据就会丢失,因此它属于易失性存储器

闪存互连

  • 闪存是一种非易失性存储,它能够在断电的情况下保持数据,因此广泛应用于存储卡、USB闪存驱动器、固态硬盘(SSD)等设备中。
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  • 工作原理
    NOR闪存NAND闪存EEPROM都属于闪存设备。浮栅工艺是闪存技术的核心之一,浮栅晶体管(Floating-Gate Transistor)能通过电荷的积累与释放来存储数据。

    浮栅上的电荷能在没有电源的情况下长时间保持,从而实现非易失性存储。闪存的容量、速度和耐用性通常受到浮栅电荷保持能力的影响

    浮栅工艺中的“浮栅”指的是一个浮动的栅极,它被完全隔离于源极、漏极和控制栅之间。电荷在浮栅中存储,并且浮栅与控制栅之间的电场关系决定了存储单元的电压状态。

    • 编程(写入):通过施加高电压(通常在几个伏特的范围内)到控制栅,使电子通过栅介质流入浮栅,存储在其中。这个过程称为“编程”。

    • 擦除:擦除操作通过反向电压将浮栅中的电荷驱赶出去,这样浮栅不再携带电荷,存储的状态变为“0”。

    • 读取:读取时通过施加较低的电压,检查浮栅是否有电荷。如果有电荷,则代表存储了“1”;如果没有电荷,则代表存储了“0”。

闪存FPGA的优势

  • 集成度高:将闪存与FPGA集成在一个芯片上,减少了外部部件和连接,简化了电路设计。
  • 快速配置:比传统的FPGA配置方式具有更短的上电时间。
  • 降低系统复杂度:内部集成闪存减少了对外部存储器的依赖,降低了系统成本。
  • 可靠性强:非易失性配置数据可以防止在断电情况下丢失,保证了设备的稳定运行。

闪存FPGA的挑战

  • 存储容量限制:虽然闪存FPGA内置了闪存存储单元,但相对于外部存储器,内置存储的容量可能较小,限制了FPGA设计的灵活性。
  • 编程复杂度:闪存FPGA的编程和配置可能需要更精细的控制,用户需要了解如何通过接口进行配置更新。
  • 成本因素:集成闪存可能增加FPGA芯片的生产成本,尤其是在需求高容量存储时。

闪存FPGA

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  • 基本单元:包含6个晶体管,静态功耗较大
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  • 基本单元:采用推挽结构,由N沟道和P沟道浮栅MOS管和一个开关控制MOS管组成
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辐射失效

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  • 对配置失效免疫,无需运行重启
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安全性

  • 加密、 防篡改、抗DPA
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瞬时上电特性

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产品系列

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第三代Flash FPGA

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ProASIC3

  • ProASIC3 是 ProASIC 系列第三代,采用 130nm 闪存工艺,A3P060 与 A3P125/A3P250/A3P1000 等构成密度梯度产品线。非易失性(上电即运行)、AES 安全编程、可选软核 ARM Cortex‑M1、集成 PLL,适合工业控制、医疗设备等场景。ProASIC 家族其他子系列的区别(此链接还介绍了IGLOO系列,满足当今便携式功耗敏感
    型电子设备苛刻的功耗和尺寸要求。该系列能够以具有竞争力的价格提供业内最低功耗):
子系列代表型号与 A3P060 的差异
ProASIC3A3P060/A3P125 等130nm,60K~1M 门,A3P060 是其成员
ProASIC3LA3PL060低功耗版,性能略降,功耗更低
ProASIC3 nanoA3PN010更小封装,面向空间受限场景
ProASICPLUSA3P250‑PLUS第二代,工艺/性能落后于 ProASIC3
  • Libero SoC v11.8 基础支持(ProASIC3 nano 全系列),Libero SoC v12.6 或 v2021.1(兼顾稳定性、兼容性与功能完整性)。
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IGLOO系列

  • 暂略,可见上部分的链接。

SmartFusion

  • SmartFusion 是 Microchip(原 Microsemi/Actel)推出的混合信号可编程系统级芯片(SoC FPGA),核心基于 ProASIC3 的 Flash 架构,集成 ARM Cortex‑M3 硬核 MCU、可编程模拟模块与 FPGA 逻辑,是 ProASIC 家族的“系统集成增强版”,面向单芯片集成的工业/医疗/军工场景。以下是核心关系、架构差异、关键参数与选型对比:
  1. 架构同源:SmartFusion 的 FPGA 逻辑部分直接沿用 ProASIC3 的 130nm Flash 工艺与非易失性架构,上电即运行、AES 安全编程、FlashLock 加密等特性与 ProASIC3(如 A3P060)完全一致。
  2. 功能升级:在 ProASIC3 纯数字 FPGA 基础上,新增三大核心模块,实现“MCU+FPGA+模拟”单芯片集成:
    • 硬核 ARM Cortex‑M3(100MHz,带 FPU/MPU,不占用 FPGA 逻辑资源);
    • 可编程模拟模块(12 位 ADC、DAC、比较器、温度传感器);
    • 增强型互联(AXI 总线连接 MCU/FPGA/模拟,数据吞吐更高效)。
  3. 定位差异
参数SmartFusion SF250ProASIC3 A3P060差异说明
系统门数250K60KSmartFusion 逻辑密度更高
处理器硬核 Cortex‑M3可选软核 Cortex‑M1SmartFusion 控制性能更强
模拟模块12 位 ADC×3、DAC×2SmartFusion 支持混合信号采集
嵌入式 RAM108 Kbits18 KbitsSmartFusion 存储资源更丰富
封装BGA‑256/VQFP‑144VQFP‑100/LBGA‑144SmartFusion 接口扩展性更好
典型应用工业控制、马达驱动、医疗仪器中小型时序电路、接口扩展场景定位互补
温度等级ProASIC3(含 A3P060)SmartFusion 1SmartFusion 2适用场景
商业级0°C ~ 85°C0°C ~ 85°C0°C ~ 85°C消费电子、室内设备
工业级-40°C ~ 125°C-40°C ~ 100°C-40°C ~ 100°C工业控制、户外设备
汽车级等级 1:-40°C ~ 135°C(AEC-Q100)无原生汽车级等级 2:-40°C ~ 125°C(AEC-Q100)车载座舱/车身电子
军工级-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C航空航天、高可靠军工
存储温度-65°C ~ 150°C-65°C ~ 150°C-65°C ~ 150°C器件仓储/运输
  • 关键备注:工业级 SmartFusion 1/2 的 Tj 上限为 100°C(低于 ProASIC3 的 125°C),因模拟模块与 Cortex‑M3 硬核的温度耐受限制;军工级全模块(FPGA/MCU/模拟)均满足 -55°C ~ 125°C 。

  • 包括软核、ADC、DAC、DMA和多个外设接口的SmartFusion:
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第四代FPGA

LGLOO 2

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SmartFusion 2

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第五代FPGA

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PolarFire FPGA

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PolarFire Soc

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应用案例

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编程器

特性FlashPro 4FlashPro 5FlashPro 6关键影响
发布定位经典老器件主力过渡升级款新一代主力(含新器件)6 是当前推荐,4 停更
器件支持ProASIC3、SmartFusion 1、IGLOO 1 等兼容 4 并扩展 SmartFusion 2/IGLOO 2兼容 5 并新增 PolarFire/PolarFire SoC6 支持新器件,4 不支持 PolarFire
编程速度基准速度(约 1MB/s)比 4 快 20%-30%比 5 快 40%-50%,支持高速编程量产与高频调试选 6
接口与供电USB 2.0;PROG_MODE 脚(切换 1.2V/1.5V)USB 2.0;优化供电,支持 1.2V 直编USB 3.0(兼容 2.0);供电更稳,支持 0.8V 新器件6 适配低电压新器件
安全特性基础加密编程支持 FlashLock、SPP新增 AES-256 强加密、防克隆军工/商业保密项目选 6
软件兼容Libero v9.x - v11.9Libero v10.x - v12.xLibero v12.0+(含最新版)4 不支持 v12.0+ 新流程
系统支持Windows 7/8(v11.9 支持win10)、Linux 旧版Windows 7/10、Linux 主流版Windows 10/11、Linux 最新版6 适配现代 OS
物理形态标准外壳,无扩展同 4,优化散热紧凑型,支持菊花链编程6 适合多器件并行生产
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