一、简介:
A4915专为三相无刷直流电机的脉宽调制(PWM)电流控制而设计。
该芯片可为6个N沟道功率MOSFET提供高电流栅极驱动功能。内置电荷泵可确保栅极驱动电压降至7V电源电压,并提供有限的5V以下栅极驱动能力。通过自举电容器可生成高于高侧MOSFET源极电压的供电电压,此特性为N沟道MOSFET所必需。内置同步整流控制电路可有效降低 PWM 工作模式下外部MOSFET的功率损耗。内部电路保护功能包括锁存式热关断、死区时间保护及欠压锁定机制,且无需特殊上电时序设置。
A4915提供两种封装形式:配备外露散热垫的28引脚 TSSOP(后缀LP)和配备外露散热垫的28触点5×5毫米 QFN(后缀ET)。所有封装均采用无铅设计,引线框架表面为100%哑光锡镀层。
二、主要技术特性:
• 5至50V供电电压
• 带故障输出的锁存 TSD
• 驱动六个N沟道大电流MOSFET
• 内部控制同步整流技术
• 速度电压输入支持全桥电路内部 PWM 占空比控制
• 中心对齐 PWM
• 内部 UVLO 与交叉电流保护
• Hall开关输入
• 可调死区时间保护
• 适用于电池供电应用的低功耗睡眠模式
三、内部原理框图:
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