本文介绍了一款高速16M位SRAM，型号为ISSIIS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL，采用2M字乘8位组织，利用高性能CMOS技术制造。产品特点包括高速访问时间（45ns，55ns）、低功耗操作、TTL兼容接口级别、单电源供电以及广泛的温度支持，适用于工业和汽车应用。
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。
当为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）时，器件将会进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装。
框图
特征
高速访问时间：45ns，55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW（典型值）运行
– 12 µW（典型值）CMOS待机
·TTL兼容接口级别
·单电源
–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）
– 2.2V–3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）
·完全静态操作：无需时钟或刷新
·工业（-40oC至+ 85oC）和汽车（-40oC至+ 125oC）温度支持
工作温度范围
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