MOSFET在电池开关和电容充电应用中的应用

引言

        许多汽车电子控制系统，特别是那些具有高瞬时功率要求的系统，会在电池上并联大容量电容。若将电池电源从控制系统中断开（例如车辆熄火时），控制系统中的电容最终会通过泄放电阻放电，或是通过与该电容电位相连的其他元件的漏电流完成放电。因此，在下一次点火启动循环时，电池电压会连接至已放电的电容，此时该电容呈现低阻抗特性。由此产生的用于为电容充电的浪涌电流（见图 1）可能引发问题，原因是大电流通路中的元件与印制电路板（PCB）走线会出现较大的功率损耗。因此，系统设计人员需以安全且稳定的方式，对系统电容充电过程中产生的浪涌电流进行控制。

        在汽车系统中，常采用共源极配置的一对背靠背 MOSFET（见图 2 中的电池继电器开关），将车载电池与控制系统相连，例如电子助力转向控制系统或电子制动系统。漏极直接与电池电压相连的那只 MOSFET 作为系统隔离开关，而漏极与系统负载相连的另一只 MOSFET 则起到电池反接保护的作用。这两只 MOSFET 共同构成的电路通常被称为电池继电器开关。由于该继电器在系统正常运行期间需保持持续导通状态，因此这类 MOSFET 对的一个核心特性是：每只器件的导通电阻（RDS (on)）都极低，通常各自的导通电阻值均小于 1 毫欧，对于大功率系统而言更是如此。

开关式预充电阻

        若要对电容进行安全（平缓）充电，就必须对流入电容的电流进行控制和限流。实现这一目标的最简单方法，是在低导通电阻的背靠背 MOSFET 对两端并联一个带串联预充电电阻的简易开关（见图 2 中的旁路阻容电路）。一旦系统电容充电至电池电位或接近电池电位，旁路阻容电路就无需再处于负载电流通路中，因此与该电阻串联的旁路开关，可选用成本低廉、导通电阻较高的小信号 MOSFET或小信号双极结型晶体管（BJT）。此外，由于电阻的通电持续时间通常仅为几十毫秒或更短，该电阻也不一定需要采用体积较大的功率型电阻。一旦电容电压上升至输入电池电位，或达到预设的阈值电压，旁路开关便会断开。此时，电池继电器开关即可启动，整个系统随即进入就绪工作状态。图 3 展示了该拓扑结构对应的典型波形。        

        尽管这种旁路拓扑结构十分简洁，但在实际的汽车系统中却往往不被采用。其主要原因在于该方案会导致成本增加，而成本上升是由多个因素共同造成的。首先是额外元器件的成本。虽然小信号开关与电阻本身并不会带来过高的额外器件成本，但系统需要为此增设一套MOSFET 栅极驱动电路，这可能需要额外的有源和无源器件，同时还需占用微控制器的一个额外输入 / 输出接口（I/O 口），并配套相应的控制软件。系统安全等级要求可能会强制为旁路电路配备诊断功能，而这就需要额外占用一个微控制器输入 / 输出接口（I/O 口）、增设无源器件，同时还要开发对应的配套软件。综合这些因素，再加上该方案会导致印制电路板（PCB）占用面积增加，最终可能造成系统成本的增幅超出可接受范围 —— 毕竟系统本身已经必须配备电池继电器 MOSFET 对，而这组 MOSFET 原本就可被用于控制系统电容的充电过程。

电池继电器开关使能控制

        替代开关型预充电电阻电路的方案是，可直接利用电池继电器开关来控制电流，从而实现系统电容的安全充电。 该功能可通过以下两种通用方法实现：第一种方法是对电池继电器场效应管（FET）进行脉宽调制（PWM）控制，以短时电流脉冲的形式为电容充电；第二种方法则是对继电器场效应管（FET）实施主动式模拟栅极控制，以此维持安全的低充电电流。尽管这两种方法均能生效，但它们存在两个可能影响电池继电器 MOSFET 性能与可靠性的潜在风险，即雪崩击穿与热失控。

PWM充电和雪崩电位

        采用脉宽调制（PWM）控制技术时，隔离开关 MOSFET可能会因 MOSFET 对与电池之间线缆的无钳位杂散电感而发生雪崩击穿（见图 4、图 5、图 6）。通常不建议让 MOSFET 工作在雪崩击穿的工况下，但通过严谨的设计也可实现安全运行。系统设计过程中必须格外谨慎，尤其是在栅极驱动电路的设计上，需确保雪崩击穿的各项条件均处于该 MOSFET 规定的无钳位感性关断（UIS）安全工作区内。这些条件包括：

• MOSFET 关断时的峰值电流
• 雪崩击穿持续时间
• 雪崩击穿发生时器件的结温
• MOSFET 因关断进入雪崩击穿工作状态时，漏源极电压的上升速率（dV_DS/dt）

        漏源极电压上升速率（dV_DS/dt）会影响 MOSFET 开关转换过程中，漏极电流在芯片有源区的分布情况：dV*_DS/d*t 越高，电流分布的不均匀性就越显著**，器件因局部区域电流密度（J_D，单位：A/mm²）过高而失效的风险也会随之增大。当芯片局部区域的电流密度升高时，视电流密度的大小和器件结温的具体情况，功率 MOSFET 内部的 NPN 寄生结构可能会发生闩锁效应。如果 MOSFET 的实际工作条件远超制造商规定的测试条件，那么源极接触工艺在对准精度和掺杂深度上的正常制程偏差，都有可能导致器件提前失效或发生意外故障。在 MOSFET 的无钳位感性关断（UIS）特性测试与器件筛选环节中，典型的dV_DS/dt* 量级通常要求控制在 0.5 V/ns 或更低，这一点对于电池继电器应用中常用的大芯片面积 MOSFET 而言尤为关键。若在此类应用中采用大电流、高速型栅极驱动电路，MOSFET 关断进入雪崩击穿状态时，就可能出现危险的高dV_DS/dt* 数值。在实际应用场景中，dV_DS/dt* 的数值甚至可能比制造商测试条件高出一个数量级乃至更多，这会大幅提升器件的失效风险。

        另一个需要考虑的因素是重复雪崩脉冲带来的影响。原因在于，脉宽调制（PWM）技术在每个充电周期内都会采用多脉冲控制方式，且在车辆的整个使用寿命中，每次点火启动时都需要对电容进行充电。根据雪崩峰值电流密度、结温（TJ​）、结温变化量（ΔTJ​）以及雪崩脉冲的次数，MOSFET 的部分参数可能会发生改变，具体包括：关断状态下的漏极漏电流增大、导通电阻（RDS(on)​）上升、器件雪崩击穿电压轻微升高或降低。安森美（onsemi）应用笔记 AND90158/D [1] 中详细介绍了功率 MOSFET 的雪崩工作特性，尤其是无钳位感性关断工况下的相关特性。

饱和区充电与热失控风险

        在电容充电环节，规避 MOSFET 雪崩击穿工作状态的一种方法是：让 MOSFET 工作在饱和区，以此实现对电池继电器电流的主动控制（见图 7、图 8）。该控制方式既可以通过对栅源极电压（VGS​）的直接模拟控制来实现，也可以采用脉宽调制（PWM）技术对VGS​进行调制来达成。处于饱和区的 MOSFET 能够限制电容充电时的浪涌电流，但 MOSFET 工作在饱和区的同时，也存在发生热失控失效的风险。关于 MOSFET 饱和区工作时的热失控机理，安森美半导体应用笔记 AND90187/D [2] 中已有详细阐述。

        尽管 MOSFET 工作在饱和区所引发的热失控风险始终存在，但在电容充电这一应用场景下，该风险是可以得到缓解的。原因在于充电过程中电流大小可被控制在较低水平，且随着电容逐步被充满，MOSFET 的漏源极电压（VDS​）会从电池电压值线性下降至导通态漏源极电压（VDS(on)​），即毫伏级的低电压水平。这一特性十分有利，因为热失稳（即热失控）的发生概率与 MOSFET 饱和区工作时的VDS​值呈正相关。VDS​越低，器件就越能承受更高的漏极电流而不发生失效。

式中，指数 的取值范围为 1.3 至大于 2，K 为常数。基于这一特性，采用主动式栅源极电压（VGS​）控制法来限制浪涌电流，通常要优于采用满栅压驱动的脉宽调制（PWM）控制法；原因在于 PWM 控制模式下，较高的脉冲电流会导致 MOSFET 在每次电流脉冲过程中，都反复发生雪崩击穿现象。对于采用主动式控制（VGS​ 调制）方案的电容充电电路，在其设计阶段，一项必不可少的工作是：结合预期的电池电压范围、器件工作结温以及目标电容充电时长（或时长范围），对电池继电器 MOSFET 在三角功率函数条件下的饱和区工作能力进行全面的特性表征 —— 这里的三角功率函数，指的是 MOSFET 漏源极电压（VDS​）随脉冲宽度线性下降的特性。而这类特性表征数据，并非是常规功率 MOSFET 数据手册中会提供的标准参数集。

用于规避雪崩击穿的有源钳位电路

        另一种缓解雪崩击穿的方法是采用有源钳位电路（见图 9）。在该拓扑结构中，需选取栅极 - 漏极齐纳二极管的击穿电压低于 MOSFET 的雪崩击穿电压，以此避免 MOSFET 进入雪崩击穿状态。但在此过程中，感性负载存储的能量会以 MOSFET 工作在饱和区的方式被耗散。这是因为器件处于有源钳位状态时，其栅源极电压（VGS​）为正值；且随着漏极电流线性下降至零，VGS​会自动调节至维持该状态所需的任意数值。钳位电压（VDS​）的近似值等于齐纳钳位电压与器件阈值电压之和。正如前文所述，MOSFET 工作在饱和区时存在发生热失控的可能性。在有源钳位的应用场景下，器件处于饱和区工作状态时，其漏源极电压（VDS​）在脉冲持续时间内基本保持恒定，而漏极电流则在脉冲持续时间内呈线性下降趋势。因此，必须针对这种特定饱和区工作的功率函数特性，对候选器件进行全面的特性表征，以确保应用的工作点处于器件的安全工作区内。同样需要说明的是，这类特性表征数据并非是常规功率 MOSFET 数据手册中所提供的标准参数集。

总结

        利用电池继电器 MOSFET 对来控制系统电容的充电是一种切实可行的技术方案，但在此过程中必须格外注意：需确保所选 MOSFET 器件，能够耐受电容充电工况下的饱和区工作或重复雪崩击穿。这些工况条件包括充电时长、输入（电池）电压、充电电流以及控制方法。总体而言，更优的设计方案（虽非强制要求）是：采用某种形式的主动控制策略，在较低漏极电流下完成电容充电，以此规避重复雪崩击穿现象的发生。建议读者参考文末引用的应用笔记，详细了解 MOSFET 雪崩击穿与饱和区工作的相关技术细节。