MOS管基本驱动电路

MOS管基本驱动电路

MOS管与晶体管的差异：
双极晶体管：要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。
MOSFET：在栅极端子和源极端子之间施加电压时，MOSFET 在漏极中产生电流。MOSFET 的栅极是一层二氧化硅。由于该栅极与源极隔离，向栅极端子施加直流电压理论上不会在栅极中产生电流（在栅极充电和放电的瞬态产生的电流除外）。

实践中，栅极中会产生几纳安的微弱电流

当栅极端子和源极端子之间无电压时，由于漏源极阻抗极高，因此漏极中除泄漏电流之外无电流。

MOS管特性：

• 由于 MOSFET 是电压驱动器件（G极加电压控制电流），因此无直流电流流入栅极。
• 要开通 MOSFET，必须对栅极施加高于额定栅极阈值电压 Vth 的电压。
• 处于稳态开启或关断状态时，MOSFET 栅极驱动基本无功耗（但是请注意交叉点附近，就是电压下降与电流上升导致的功耗）。
• 通过驱动器输出看到的 MOSFET 栅源电容根据其内部状态而有所不同。
• MOSFET 通常被用作频率范围从几 kHz 到几百 kHz 的开关器件。这点尤其需要注意。

MOS管最基本的驱动电路
如下所示为MOS管最为基本的驱动电路设计，R1为限流电阻，来限制栅极在刚开始时的充电电流大小，电阻的加入会使得MOS开启速度减慢，但是可以减小EMC风险。

R2电阻是放电电阻，一是当系统未加电控制时，该电阻可以泄放积累在栅极的电荷，防止静电击穿；二是当G极驱动为低电平时，泄放G极电荷，使得G极快速的变为0电位。