动态随机存取存储器（DRAM）入门

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前言

动态随机存取存储器（DRAM）的工作原理

DRAM 芯片的逻辑顺序

读写时序

刷新操作

突发传输模式

同步 DRAM（SDRAM）

双倍数据速率 SDRAM（DDR SDRAM）

DRAM 读写校验

计算 DRAM（CDRAM）

结语

前言

        在现代计算机系统中，内存是不可或缺的组件，它允许处理器快速访问数据和指令。动态随机存取存储器（DRAM）是计算机系统中常见的内存类型，因其较高的密度和较低的成本而广泛使用。

动态随机存取存储器（DRAM）的工作原理

  1. 存储单元：DRAM 存储器由许多存储单元组成，每个存储单元由一个电容器和一个存储介质（通常是一个晶体管）组成。电容器负责存储一个比特（0 或 1），电容器的充电状态表示存储的数据值。

  2. 电容器充放电：DRAM 中的每个存储单元都有一个电容器，当电容器充电时，表示存储的数据位是 1；当电容器放电时，表示存储的数据位是 0。电容器会随着时间的推移而自然放电，因此需要周期性地刷新（刷新周期通常为几毫秒到几十毫秒）。

  3. 行地址选择：要读取或写入特定的存储单元，首先需要选择行地址。DRAM 芯片内部的控制逻辑根据输入的地址信号来选择特定的行，这个过程称为 "行地址选通"。通过激活行地址线，选中特定的行，从而准备读取或写入该行的数据。

  4. 列地址选择：在选中行之后，需要选择该行中的特定列，以读取或写入数据。通过激活列地址线，选中所需的列，从而确定要访问的存储单元。

  5. 读取和写入操作：一旦选择了行和列地址，DRAM 就可以执行读取或写入操作。在读取操作中，DRAM 会从选中的存储单元中读取数据，并将其传输到输出端。在写入操作中，DRAM 会将输入的数据写入到选中的存储单元中。

  6. 刷新操作：由于电容器会自然放电，所以需要定期刷新 DRAM 存储器中的数据，以防止数据丢失。刷新操作会将存储单元的电荷重新充满，从而维持存储数据的稳定性。

 

DRAM 芯片的逻辑顺序

        在 DRAM 芯片中，存储单元通常被组织成一个二维的矩阵结构，由行和列组成。每个存储单元由唯一的行地址和列地址标识。

  1. 行地址（Row Address）：

    • 行地址用于选择 DRAM 芯片中的行。
    • DRAM 芯片的行地址由地址线组成，地址线的数量取决于 DRAM 芯片的行数。
    • 通过激活行地址线，可以选择要访问的行。

  2. 列地址（Column Address）：

    • 列地址用于选择所选行中的列。
    • DRAM 芯片的列地址也由地址线组成，地址线的数量取决于 DRAM 芯片的列数。
    • 通过激活列地址线，可以选择所选行中的特定列。

  3. 行选通线（Row Select Line）：

    • 行选通线用于激活所选行，以便访问该行中的存储单元。
    • 当某个行地址被激活时，对应的行选通线被激活，使得该行中的存储单元变为可访问状态。

  4. 列选通线（Column Select Line）：

    • 列选通线用于激活所选列，以便访问所选行中的特定存储单元。
    • 当某个列地址被激活时，对应的列选通线被激活，使得所选行中的特定存储单元变为可访问状态。

读写时序

  

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