SS6285L 是率能半导体(LEADPOWER)推出的单通道 H 桥直流有刷电机驱动芯片,SOP‑8 贴片封装,面向消费类机电设备,可实现直流电机正反转、刹车、停机控制,集成全套硬件保护,BOM 精简,广泛用于电子锁、玩具、小型机器人、自动阀门等产品。
一、产品概述
SS6285L 为完整集成 H 桥驱动,内部集成功率 MOSFET 与感性负载续流二极管,无需外接续流肖特基。芯片仅通过 BI、FI 两个逻辑输入引脚完成电机全部运动状态控制,支持 PWM 调速;具备极低待机功耗、低导通内阻,内置过热、过流、短路硬件保护,全部保护均为硬件自动触发,无需软件干预,故障后可自动恢复工作。
封装:SOP‑8(卷带出货),部分版本提供 DIP‑8 直插封装,符合 RoHS,引脚框架 100% 无铅。
二、核心电气参数
| 参数 | 数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 工作电压 VCC | 3.0V‑18V | 适合多节锂电池、适配器供电;绝对最大 20V |
| 持续输出电流 | 5A | 基于 40mm² FR4 1oz 铜皮 PCB;峰值 9A |
| 待机电流 | <1μA | FI=BI=0V 无负载,电池供电产品优势明显 |
| 总导通电阻 Rds (on) | 58‑71mΩ | 1A 负载 58mΩ,3A 负载 71mΩ,降低发热损耗 |
| PWM 最高频率 | 30kHz | 输入高低电平最小脉宽≥100ns,tH+tL>33μs |
| 欠压锁定 UVLO | 1.9‑2.8V | 电源过低时关闭输出,防止电机误动作 |
| 过流保护 OCP | 典型 12A | 堵转、短路时钳位限制电流输出 |
| 过热保护 OTP | 触发约 160℃,恢复约 130℃ | 结温超标关断 H 桥,降温后自动恢复 |
| 工作温度 | -25~+85℃ | 消费级温度范围 |
三、引脚定义(SOP‑8)
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | BI | 输入 | 后退控制输入脚 |
| 2 | FI | 输入 | 前进控制输入脚 |
| 3 | GND | 电源 | 功率地,重要散热引脚 |
| 4 | VCC | 电源 | 功率电源输入 |
| 5、6 | FO | 输出 | 前进输出,接电机一端,内部并联 |
| 7、8 | BO | 输出 | 后退输出,接电机另一端,内部并联 |
注意:5‑6 引脚、7‑8 引脚在芯片内部已经并联,PCB 设计中外部同样需要短接,用于提升大电流载流能力,降低走线发热。
四、工作模式逻辑(真值表)
芯片依靠 FI、BI 电平组合决定电机状态,支持 GPIO 直接控制方向,也支持 PWM 调速
| FI | BI | FO | BO | 工作模式 | 说明 |
|---|---|---|---|---|---|
| H | L | H | L | 前进 | 电机正向运转 |
| L | H | L | H | 后退 | 电机反向运转 |
| H | H | L | L | 刹车 | 输出对地短接,电机能耗制动(紧急刹车) |
| L | L | 开路 | 开路 | 停止 | H 桥全部关闭,电机高阻自由滑行 |
四种模式覆盖前进、后退、制动停机、自由停止,刹车模式可以快速锁死电机转轴;停止模式电机不受力矩,可手动转动电机轴。
上电时序要求
VCC 上电完成后,需要等待至少3ms,才可以向 BI、FI 输入高电平;上电阶段 BI、FI 必须维持低电平或高阻,避免上电瞬间电机误启动。
五、内部架构
芯片内部划分为:启动电路、线性电源、基准源、逻辑控制单元、过流保护、过热保护、自适应驱动电路、H 桥功率 MOSFET 阵列。
- 线性电源与基准:为逻辑、保护模块提供内部工作电源;
- 保护模块实时监控芯片温度与输出电流,一旦触发保护,直接切断 H 桥 MOS 管,绕过逻辑单元,硬件优先;
- H 桥集成 4 颗 MOSFET 以及续流二极管,吸收电机换向时反向电动势,省去外部二极管器件,简化 BOM 成本。
六、典型外围电路与 PCB 设计要点
参考外围电路
VCC 引脚就近并联两颗电容:
- C1:0.1μF 陶瓷电容,高频滤波,抑制尖峰;
- C2:470μF 电解电容,应对电机启动瞬间大电流,吸收电机反向能量;
负载电流大、电源纹波大时,需要增大电解电容容量;两颗电容必须尽量靠近 VCC 引脚,缩短功率回路走线。 电机直接跨接 FO(5、6)与 BO(7、8),不需要外接续流二极管。
PCB 关键注意事项
- BI、FI 引脚禁止增加外部下拉电阻。高温下芯片 PN 结漏电流流过下拉电阻,会抬升引脚电压,造成逻辑误判、电机乱转;闲置时建议 MCU 引脚直接控制,允许悬空;长走线可串联 100Ω 电阻抑制信号反射,但不能对地下拉。
- GND 引脚(Pin3)是主要散热通道,需要连接大面积铺铜,大电流场景建议 GND 铜皮≥2cm²;
- FO、BO 电机功率走线必须粗短,减小线路压降与发热;
- PWM 频率建议不超过 30kHz,高频会增加开关损耗,加剧芯片发热。
七、保护机制详解
全部为硬件保护,无需软件干预,大部分保护具备自恢复能力:
- 欠压保护 UVLO:电源电压低于阈值关闭驱动,避免低压工况电机工作异常;
- 过流钳位 OCP:输出电流达到约 12A 触发,限制输出电流,应对电机堵转、输出短路,保护芯片和电源;
- 过热保护 TSD:芯片结温达到 160℃关断全部功率管,温度下降至 130℃后自动恢复;持续过载会反复进入保护,表现为电机断断续续运转;
- 内置续流二极管:吸收电机感性反向冲击,保护 MOSFET,省去外部器件。
保护功能为防护,不能长期工作在保护触发条件,反复触发保护会缩短芯片寿命。
八、典型应用场景
- 智能家居:电磁门锁、自动阀门、小型电动执行机构;
- 消费类机电:电动玩具、小型机器人、按摩设备;
- 电池供电设备:<1μA 待机电流,适合电池供电产品,降低静态功耗;
- 兼容替代:可替代 RZ7889、TMI8260、DRV8874、MC33932 等同类型单 H 桥芯片,适合国产化替换设计。
九、优缺点总结
优势
- 外围器件极少,仅需要电源滤波电容,无需续流二极管,BOM 成本低;
- 待机功耗极低,适合电池供电产品;
- 集成全套硬件保护,抗干扰强,提升整机可靠性;
- 宽电压 3‑18V,适配锂电池、适配器多种供电;
- SOP‑8 小封装,节省 PCB 面积。
局限
- 单 H 桥,只能驱动一路直流电机,不能同时驱动两路电机;
- 5A 持续电流受 PCB 散热条件影响很大,小铜皮 PCB 下实际可输出电流会下降;
- 无独立 FAULT 故障输出引脚,软件无法直接读取保护状态,只能观察电机行为。

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