TP5012KTS1是50A，1200V高可靠性IGBT模块，采用高速沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管。

原创 已于 2023-02-24 09:46:56 修改 · 431 阅读 · 0
标签
#嵌入式硬件
于 2023-02-23 14:05:24 首次发布

主要特征

  • 低VCE(sat)

  • 低开关损耗

  • 内置快恢复二极管

  • Tvj op=150°C

  • VCE(sat)带正温度系数

极限参数

(除非另有说明 , 否则TA = 25ºC )

IGBT,逆变器

符号

参数

参数范围

单位

VCES

集电极—发射极电压

1200

V

VGES

栅极
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