肖特基二极管的反向恢复过程

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本文详细介绍了肖特基二极管的反向恢复过程，包括其存储时间和渡越时间，强调了反向恢复时间对开关速度的影响。同时，对比了肖特基二极管与普通二极管的区别，特别是在高频应用和低导通压降方面的优势。

目录

1、肖特基二极管

2、反向恢复过程

3、肖特基与普通二极管区别

1、肖特基二极管

定义：以发明人肖特基博士（Schottky）命名，SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写，不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。

肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15-0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。还有一个是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。

2、反向恢复过程

二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。

关于电路：

在0-t1时间内，给二极管加正的VF电压，二极管导通，流过二极管的电流IF=（VF-VD）/RL，VD是二极管的导通压降

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#反向恢复时间 #肖特基二极管
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二极管
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