长期驻留空间平台内部通信网络的抗总剂量辐射设计探讨——ASM1042S2S型CANFD收发器的性能评估

一、引言

随着空间站、载人飞船及长寿命科学试验卫星等长期驻留空间平台的建设与发展，平台内部各系统之间稳定可靠的通信网络成为保障航天员生命安全、科学试验连续性及平台长期运行的关键基础设施。与短寿命卫星不同，长期驻留空间平台的设计寿命通常在 5 年至 15 年甚至更长，其电子系统面临的辐射累积效应问题尤为突出。总剂量效应作为空间辐射环境中最具代表性的长期累积损伤机制，对平台内部通信网络中广泛使用的半导体器件构成了严峻挑战。

CANFD 总线因其中等带宽、高可靠性、低成本及良好的抗干扰能力，在空间平台内部非高速数据传输场景中的应用价值日益受到关注。然而，普通商用 CANFD 收发器的抗总剂量能力通常未经专门设计与验证，难以满足长期驻留任务需求。国科安芯ASM1042S2S 型 CANFD 收发器是面向商业航天市场开发的抗辐射型号，其总剂量耐受能力经第三方权威机构试验验证。本文以该芯片为研究对象，系统评估其在长期驻留空间平台内部通信网络中的抗总剂量性能与工程适用性。

二、长期驻留空间平台的辐射环境特征

（一）轨道与辐射环境关联。近地轨道空间站（如国际空间站、中国空间站）运行于约 400 km 高度、倾角 40° 至 50° 的近圆轨道，该轨道穿越地球内辐射带的高质子通量区域及南大西洋异常区。根据 NASA 公开的空间环境数据，国际空间站所在轨道的年累积剂量约为 50 至 100 krad(Si)（铝屏蔽等效 2.5 mm），具体数值与太阳活动周期及屏蔽条件密切相关。对于设计寿命 10 年的空间站舱内电子设备，总剂量累积可达 500 krad(Si) 以上，这对器件的抗辐射能力提出了极高要求。

（二）屏蔽效应与剂量分布。空间站舱体结构、设备机壳及多层隔热材料对空间辐射具有一定的屏蔽作用。铝屏蔽等效厚度通常在 2 mm 至 10 mm 范围，可将质子与电子通量衰减 1 至 2 个数量级，但对高能质子及银河宇宙射线的屏蔽效果有限。舱内不同位置的剂量率存在显著差异，靠近舱壁的位置剂量率较高，而位于舱体中心区域的设备所受屏蔽更充分。因此，通信器件的抗总剂量设计需结合具体安装位置与屏蔽条件进行评估。

（三）总剂量效应对通信器件的影响机理。总剂量效应源于电离辐射在 MOS 器件栅氧化层中产生的陷阱电荷与界面态。对于 CANFD 收发器，总剂量效应的主要表现形式包括：驱动器输出级晶体管阈值电压漂移，导致显性状态差分电压幅度降低；接收比较器输入失调电压增大，导致隐性/显性判决阈值偏移；ESD 保护结构泄漏电流增加，导致总线负载加重及静态功耗上升；内部偏置电路参数漂移，导致整体工作点偏离设计值。这些效应的累积将逐渐恶化总线信号完整性，最终可能导致通信误码率上升或功能失效。

三、ASM1042S2S 的抗总剂量设计与试验验证

（一）工艺层面的抗总剂量基础。ASM1042S2S 采用 VIS 0.15 μm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺制造。相较于标准 CMOS 工艺，BCD 工艺在功率输出级采用横向 DMOS（LDMOS）或垂直 DMOS（VDMOS）结构，这类功率器件的栅氧化层通常较厚，对总剂量效应的敏感性相对较低。同时，0.15 μm 的特征尺寸处于亚微米节点，栅氧化层厚度约为 3 nm 至 5 nm，相较于深亚微米及纳米级工艺，其总剂量敏感性亦处于较低水平。工艺选择为芯片的抗总剂量性能奠定了物理基础。

（二）电路层面的加固设计。在电路设计层面，抗总剂量加固通常采用以下几种技术路径：一是采用厚栅氧或双栅氧工艺，对关键模拟电路使用较厚的栅氧化层以降低陷阱电荷密度；二是采用环形栅（Enclosed Layout Transistor，ELT）或半环形栅结构，消除传统线性栅器件中源漏之间的"鸟嘴"区域，抑制界面态引入的泄漏通道；三是采用全差分结构与共模反馈，提高模拟电路对参数漂移的免疫能力；四是采用带隙基准源及稳压电路的温度与辐射补偿设计。虽然 ASM1042S2S 的具体电路加固细节未在公开文档中完整披露，但其通过 150 krad(Si) 总剂量试验的结果表明，上述加固技术的综合应用达到了预期的抗辐射水平。

（三）总剂量效应试验。ASM1042S2S 的总剂量试验由北京中科芯试验空间科技有限公司依据 QJ 10004A-2018《宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法》完成。试验采用钴-60 γ 射线源，辐照剂量率控制在典型空间剂量率范围内（通常小于 50 rad(Si)/s，以消除剂量率效应的影响）。试验样品在辐照过程中施加偏置（最坏情况偏置条件），并在多个剂量点（如 50 krad、100 krad、150 krad）进行电参数测试。试验结论确认，该器件的抗总剂量能力不低于 150 krad(Si)。

（四）试验后的参数稳定性分析。根据芯片测试报告中披露的基本电气参数，ASM1042S2S 的显性输出电压（CANH 2.75 V 至 4.5 V，CANL 0.5 V 至 2.25 V）、差分输出电压（1.5 V 至 3 V）、接收器共模范围（±30 V）及环路延迟（100 ns 至 175 ns）等指标均具有较宽的设计裕量。即使在总剂量效应导致部分参数漂移 10% 至 20% 的情况下，器件仍可维持正常通信功能。这种设计裕量对于长期驻留任务中的参数渐进退化具有重要的容错意义。

四、空间平台内部通信网络架构设计

（一）网络分层架构。长期驻留空间平台内部通信网络可划分为三层：核心层、汇聚层与接入层。核心层连接各舱段中央计算机，要求高带宽与高可靠性，可采用 Spacewire 或千兆以太网；汇聚层连接各功能分系统（如环境控制与生命保障、电源、热控、通信等），CANFD 总线在此层具有较好的成本与性能平衡；接入层连接具体设备与传感器，可采用 CAN、RS-422 或 UART。ASM1042S2S 适用于汇聚层与部分接入层的 CANFD 总线节点。

（二）冗余与重构设计。长期驻留平台对通信网络的可用性要求极高，建议采用双冗余甚至三冗余 CANFD 总线架构。每条总线物理独立，由不同电源供电，布线沿不同路径敷设。ASM1042S2S 的待机模式与远程唤醒功能便于实现冗余总线的动态激活与切换：在正常运行时，主总线处于工作状态，备用总线处于低功耗待机；当主总线故障时，软件可通过总线活动自动唤醒备用总线。

（三）在轨维护与升级。长期驻留平台具备在轨维护与设备更换能力，这是其区别于无人卫星的重要特征。CANFD 总线的标准化接口与广泛的应用生态，使得在轨更换的通信模块可快速接入现有网络，降低了在轨维护的技术复杂度。ASM1042S2S 与 TJA1042、TCAN1042 等国际主流 CANFD 收发器完全兼容，为在轨备件的多元化采购提供了便利。

（四）地面测试与寿命评估。在空间平台研制阶段，通信器件需经历严格的地面测试。ASM1042S2S 已通过 AEC-Q100 Grade 1 车规认证，该认证包含早期失效率测试（ELFR）、高温工作寿命测试（HTOL，1000 小时 @125 °C）、温度循环测试（TC，1000 次，−65 °C 至 +150 °C）、高加速温度湿度应力测试（HAST，96 小时 @130 °C/85% RH）等多项可靠性考核。这些测试为器件的长期工作寿命提供了地面预验证。结合 150 krad(Si) 的抗总剂量能力，可对器件在空间平台全寿命周期内的可靠性进行定量评估。

五、在轨验证与工程经验

ASM1042S2S 不仅在地面通过了系统的抗辐射与可靠性试验，还获得了在轨飞行的直接验证。2025 年 5 月，该芯片随 TY29"天仪 29 星"及 TY35"天仪 35 星"发射入轨。根据长沙天仪空间科技研究院有限公司出具的在轨应用证明，芯片进入太空以来运行正常，接口通信稳定，功能和性能满足卫星在轨应用需求。虽然这两颗卫星属于遥感小卫星而非长期驻留平台，但其轨道环境与空间辐射条件与近地轨道空间站相似，在轨数据对于评估该芯片在长期任务中的可靠性仍具有重要参考价值。

此外，ASM1042S2S 的研制单位北京国科环宇科技股份有限公司在航天电子领域具有多年的工程经验，其产品已在多个在轨航天器中获得应用。国科安芯作为其子公司，专注于抗辐射加固芯片的研发与生产，形成了从芯片设计、生产、封装测试到抗辐射试验的完整技术链条。这种产业链的完整性为芯片质量的持续稳定提供了组织保障。

六、结论

本文针对长期驻留空间平台内部通信网络面临的抗总剂量辐射挑战，以 ASM1042S2S 型 CANFD 收发器为研究对象，从空间辐射环境特征、总剂量效应机理、工艺与电路加固设计、试验验证体系及网络架构设计等方面展开了系统分析。研究表明，ASM1042S2S 基于 VIS 0.15 μm BCD 工艺，通过系统的抗辐射加固设计，实现了不低于 150 krad(Si) 的抗总剂量能力，并通过了重离子单粒子、质子单粒子及脉冲激光等多项辐射效应考核，已在在轨卫星中获得实际飞行验证。对于设计寿命 5 至 10 年的近地轨道空间平台，该芯片的总剂量裕量与综合可靠性可满足内部 CANFD 通信网络的设计需求。随着国内空间站及长期驻留空间平台的持续发展，ASM1042S2S 等抗辐射 CANFD 收发器有望在更多在轨任务中发挥关键作用，为空间平台内部通信网络的长期可靠运行提供底层技术支撑。