硬件电路(13)-场效应晶体管FET

一、概述

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

 二、绝缘栅场效应管MOS-FET

 1、定义

MOS-FET是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。

2、分类

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。

        按照场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅极电压之后才有漏极电流的称为增强型。耗尽型MOSFET主要用于高频放大的领域。对于开关电源及功率变换电源只用到增强型MOSFET而不会使用耗尽型MOSFET。

        在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、工作原理

        以N沟道增强型MOS场效应管它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

4、参数

 1）低频跨导gm

        在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数；一般在十分之几至几mA/V的范围内。

2）极间电容

        三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。CGS和CGD约为1～3pF；CDS约在0.1～1pF之间。

3）低频噪声系数NF

        噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的，由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化。噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小。低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数。场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。

5、 应用

1）开关电路

        MOSFET做开关用时是工作在哪个区

        MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于 MOSFET 为截止，饱和，变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs < Vt 时，MOSFET处于截止状态，即截止区。当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区。

        如果忽略沟道的长度调制效应，MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。通常用其作为放大区域使用（类比BJT的放大区）。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率 MOSFET 的 Rds 可以降到非常之小，以便流过较大的电流。利用 MOSFET 截止区和变阻区的特性，就可以将 MOSFET 应用于 逻辑或功率开关。

2）MOSFET的米勒效应

下面是MOSFET理想工作时的波形：

下面是MOSFET实际工作时的波形：

        一开始，Ugs对Cgs充电，当Ugs上升到t1时刻，即达到Uth ( 4V ) 电压时，MOS管开启，Id增加，当到达t2时，Id上升到最大值，注意此时MOS管还未完全导通，是因为Ugs还没到达最大值。Id保持不变，由于米勒效应，此时Ugs通过Cgd,D脚，S脚到地。对米勒电容Cgd进行充电，米勒效应引起了MOS管的转移特性，所谓转移特性就是Id使得Ugs也要保持不变。这个时间段也叫做平台电压。这个平台电压阶段，由于MOS管还未完全导通，所以MOS管功耗很大，发热历害，也就是说米勒电容引起MOS管损耗大。这是很危险的，容易炸管！！！当到达t3时刻时，Ugs继续往上升，此时米勒电容没有了，转移特性消失。可以理解为这个时段，米勒电容充电充满了。下降沿的分析与上升沿是一样的。所以要求平台电压越短越好！缩短平台电压的两个方法：

        1、驱动电压要尽可能高。

        2、驱动电流要尽可能大，加快充电速度。驱动电源的内阻要小，驱动电流才大。放电内阻也要小。

三、 结型场效应管J-FET

1、分类

        结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2、工作原理

        结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

        对于耗尽型的JFET，在平衡时(不加电压)时，沟道电阻最小；电压Vds和Vgs都可改变栅p-n结势垒的宽度，并因此改变沟道的长度和厚度（栅极电压使沟道厚度均匀变化，源漏电压使沟道厚度不均匀变化），使沟道电阻变化，从而导致Ids变化，以实现对输入信号的放大。当Vds较低时，JFET的沟道呈现为电阻特性，是所谓电阻工作区，这时漏极电流基本上随着电压Vds的增大而线性上升，但漏极电流随着栅极电压Vgs的增大而平方式增大；进一步增大Vds时，沟道即首先在漏极一端被夹断，则漏极电流达到最大而饱和（饱和电流搜大小决定于没有被夹断的沟道的电阻），这就是JFET的饱和放大区，这时JFET呈现为一个恒流源。JFET的放大作用可用所谓跨导gm = δIds / δVgsS ](Vds =常数) 来表示，要求跨导越大越好。

3、特点

        1)是电压控制器件，则不需要大的信号功率

        2)是多数载流子导电的器件，是所谓单极晶体管，则无少子存储与扩散问题，速度高，噪音系数低；而且漏极电流Ids的温度关系决定于载流子迁移率的温度关系，则电流具有负的温度系数，器件具有自我保护的功能。

        3)输入端是反偏的p-n结, 则输入阻抗大, 便于匹配。

        4)输出阻抗也很大, 呈现为恒流源，这与BJT大致相同

        5)JFET一般是耗尽型的，但若采用高阻衬底, 也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值)；但是一般只有短沟道的JFET才是能很好工作的增强型器件。实际上，静电感应晶体管也就是一种短沟道的JFET。⑥沟道是处在半导体内部，则沟道中的载流子不受半导体表面的影响，因此迁移率较高、噪声较低。

        JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

通过栅源电压Ugs来控制漏源回路中的电流Id的大小

JFET的漏极与源极间是可以相互调换来使用的。因为JFET的源极与漏极之间没有PN结，是由同一导电类型的半导体制作的

JFET都是耗尽型的；MOSFET既有耗尽型也有增强型。