线性稳压器LDO的工作原理及其拓扑结构

当今电子产品中低电压大电流低纹波的工作要求越来越多LDO这种线性稳压器由于其稳定的电压输出、更好的负载调整率、简单的外围电路而被广泛使用对于电子硬件工程师了解相关知识是十分必要的

1.LDO的工作原理

通过输出的反馈影响控制器，控制器改变晶体管的等效电阻进而以此保证输出固定在某一值上,LDO是线性稳压器的一种，我们一般将输入减去输出的最小压降的数值在1V以下的线性稳压器叫做LDO

2.常见的拓扑

(1) NPN线性稳压器

       控制器直接控制最下的PNP管，上面两个NPN管构成达林顿管结构，反馈（一般是负反馈）回的输出电压经过控制器判断大小而后由控制器的判断进而影响晶体管的导通进而控制输出，它可以提供比较大的工作电流较小的地电流（流入地的电流，也可以说是空载的静态电流），有着较宽的带宽以及较小的输入阻抗，不需要外部补偿（外部补偿通常指外接输出电容是为了保证输出的稳定），但达林顿管的结构又加大了Vdrop

这不符合当今逐渐低电压的要求

(2)PNP LDO线性稳压器

对比前者它拥有更小的Vdrop，同时有更小的输出电流和更大的地电流，更大的输出阻抗，同时需要外部补偿，这也是LDO最初的拓扑适合小电压场所（需外部补偿）

(3)NPN Quasi-LDO

这一类型的拓扑改良了上一个拓扑输出电流不足、地电流过大、输出阻抗大的情况，但Vdrop要大于上者，原因是在这些拓扑下NPN的Vce和Ic都要大于PNP，判断Vdrop和Iout我们都是看的主回路上的晶体管。（需外部补偿）

在集成技术突飞猛进的今天以上的拓扑都已不在是主流基本只在教学中帮助了解LDO的基本原理，以下介绍当今使用主流

(4)PFET LDO

MOS由于其自身特性Rds（on）都远小于Rce所以Vdrop可以做到非常小Iout可以非常大，同时由于栅极开路及其结构地脚电流也非常小，但是由于Vgs(th)的原因输入电压过于小的情况下可能会影响MOS管的导通所以有了后者（理论说需外部补偿但一般电源芯片已将补偿电路一同集成在芯片内）

（5）NFET LDO

除了前面说的PFET的优点NFET可以适应小输入电压的情况同时有相较于前者更小的输出阻抗（理论说需外部补偿但一般电源芯片已将补偿电路一同集成在芯片内）此电路需要电荷泵的驱动但一般芯片也内置了电荷泵所以不用担心

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